Транзисторы 2Т827 в корпусах типа КТ-97

АО «ФЗМТ» серийно выпускает транзисторы 2Т827 аА0.339.119ТУ (схема Дарлингтона) в корпусах типа КТ-9 с покрытием никелем. Корпуса типа КТ-9 имеют высокое значение материалоемкости, массы и габаритных размеров.

Гарантийная наработка транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-9 составляет 25 000 ч при максимально допустимой температуре перехода 200 °С.

С целью снижения массогабаритных показателей, увеличения гарантийной наработки и снижению максимальной температуры кристалла, АО «ФЗМТ» проводит работы по разработке транзисторов 2Т827 аА0.339.119ТУ в корпусах типа КТ-97В с покрытием золотом и никелем.

Планируемая наработка транзисторов в 2Т827 в корпусах типа КТ-97 составит не менее 50 000 ч при максимально допустимой температуре перехода не более 175 °С.

Основные электрические параметры и тепловое сопротивление транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-97 превосходят аналогичные параметры транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-9 и приведены в таблицах ниже.

Габаритный чертеж транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-97 приведен на рисунке.

Срок серийного освоения транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-97 — IV квартал 2021 года.

Ждем от потенциальных потребителей заявки на поставки опытных образцов транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-97 с приемкой ОТК для опробования и принятия решения о дальнейшем применении.

Значения электрических параметров и теплового сопротивления транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-9, КТ-97 при приемке и поставке
Наименование параметра, единица измерения (режим измерения)	Буквенное обозначение	КТ-9		КТ-97		Температура среды, корпуса, °С
		Норма		Норма*
		Не менее	Не более	Не менее	Не более
Обратный ток коллектор-эмиттер, мА (U_КЭR = 250 В, R_БЭ = 1 кОм)	I_КЭR	—	3,0	—	0,3	25 ± 10
Обратный ток эмиттера, мА (U_ЭБО = 6 В, I_К = 0)	I_ЭБО	—	2,0	—	2,0	25 ± 10
Статический коэффициент усиления по току (I_К = 10 А, U_КЭ = 3 В)	h₂₁	7500	18 000	1000	15 000	25 ± 10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В (I_К = 10 А, I_Б = 0,05 А)	U_КЭ нас	—	2,0	—	1,5	25 ± 10
Напряжение насыщения база-эмиттер, В (I_К = 10 А, I_Б = 0,05 А)	U_БЭ нас	—	4,0	—	2,5	25 ± 10
Граничное напряжение, В (L_к = 25 мГн, I_К нас≥ 0,8 А, I_К изм= 0,5 А, R_БЭ = ∞)	U_КЭО гр	100	—	125	—	25 ± 10
Время рассасывания, мкс (L_К = 4,5 мГн, I_К = 10 А, I_Б нас = 0,1 А, U_ББ/RББ = –5 В / 10 Ом, U_КЭ огр = 70 В)	t_рас	—	—	—	2,5	25 ± 10
Время спада, мкс (L_К = 4,5 мГн, I_К = 10 А, I_Б нас = 0,1 А, U_ББ/RББ = –5 В / 10 Ом, U_КЭ огр = 70 В)	t_сп	—	—	—	1,0	25 ± 10
Тепловое сопротивление переход-корпус, С/Вт	R_Т п-к	—	1,4	—	1,2

* Параметры могут быть уточнены по результатам испытаний.

Предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-9, КТ-97в диапазоне температур от –60 °С до +125 °С
Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	КТ-9	КТ-97	Примечания
Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма	Норма	Примечания
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В	U_{КБО мах}	100	250
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В	U_{КЭR мах}	100	250	1
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В	U_ЭБ мах	5	8
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А	I_К мах	20	20	2
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А	I_{К и мах}	40	40	2
Максимально допустимый постоянный ток базы, А	I_Б мах	0,5	0,5
Максимально допустимый импульсный ток базы, А	I_{Б и мах}	0,8	0,8
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт	P_К мах	125	125	3
Максимально допустимая температура перехода, °С	t_П мах	200	175

Примечания:

При R_БЭ = 1 кОм.
При температуре корпуса 25 °С. При температуре корпуса от 25 °С до 125 °С значение параметра рассчитывается исходя из t_и, Q, P_К max, R_Т п-к и ОБР(F).
При температуре корпуса свыше 25 °С рассеиваемая мощность P_К мах снижается в соответствии с формулой P_K max = (t_П max – t_К) / R_Т П-К, где t_П мах — максимальная температура перехода, t_К — температура корпуса, R_Т п-к — тепловое сопротивление переход-корпус.

Габаритный чертеж транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-97
(покрытие выводов припоем ПОС 61 только для корпусов с покрытием никелем)

Акционерное общество
«Фрязинский завод мощных транзисторов»

Россия, 141190, наукоград Фрязино, М.О., ул. Заводской проезд, д. 3. Приемная: тел. +7 (496) 565-27-20, т/ф +7 (496) 565-27-02, fzmt@fzmt.ru.

Отдел сбыта и маркетинга: т/ф +7 (496) 565-28-57, тел. +7 (495) 660-00-71, sbit@fzmt.ru.