Акционерное общество
«Фрязинский завод мощных транзисторов»

Россия, 141190, наукоград Фрязино, М.О., ул. Заводской проезд, д. 3. Приемная: тел. +7 (496) 565-27-20, т/ф +7 (496) 565-27-02, fzmt@fzmt.ru.

Отдел сбыта и маркетинга: т/ф +7 (496) 565-28-57, тел. +7 (495) 660-00-71, sbit@fzmt.ru.

В соответствие с определением Арбитражного суда Московской области от 05.08.2021 по делу №А41-84744/2019, в отношении АО «ФЗМТ» прекращено производство по делу о банкротстве, процедура наблюдения снята.

Транзисторы 2Т827 в корпусах типа КТ-97

АО «ФЗМТ» серийно выпускает транзисторы 2Т827 аА0.339.119ТУ (схема Дарлингтона) в корпусах типа КТ-9 с покрытием никелем. Корпуса типа КТ-9 имеют высокое значение материалоемкости, массы и габаритных размеров.

Гарантийная наработка транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-9 составляет 25 000 ч при максимально допустимой температуре перехода 200 °С.

С целью снижения массогабаритных показателей, увеличения гарантийной наработки и снижению максимальной температуры кристалла, АО «ФЗМТ» проводит работы по разработке транзисторов 2Т827 аА0.339.119ТУ в корпусах типа КТ-97В с покрытием золотом и никелем.

Планируемая наработка транзисторов в 2Т827 в корпусах типа КТ-97 составит не менее 50 000 ч при максимально допустимой температуре перехода не более 175 °С.

Основные электрические параметры и тепловое сопротивление транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-97 превосходят аналогичные параметры транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-9 и приведены в таблицах ниже.

Габаритный чертеж транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-97 приведен на рисунке.

Срок серийного освоения транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-97 — IV квартал 2021 года.

Ждем от потенциальных потребителей заявки на поставки опытных образцов транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-97 с приемкой ОТК для опробования и принятия решения о дальнейшем применении.

Значения электрических параметров и теплового сопротивления транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-9, КТ-97 при приемке и поставке
Наименование параметра, единица измерения (режим измерения) Буквенное обозначение КТ-9 КТ-97 Темпе­ратура среды, корпуса, °С
Норма Норма*
Не менее Не более Не менее Не более
Обратный ток коллектор-эмиттер, мА
(UКЭR = 250 В, RБЭ = 1 кОм)
IКЭR 3,0 0,3 25 ± 10
Обратный ток эмиттера, мА
(UЭБО = 6 В, IК = 0)
IЭБО 2,0 2,0 25 ± 10
Статический коэффициент усиления по току
(IК = 10 А, UКЭ = 3 В)
h21 7500 18 000 1000 15 000 25 ± 10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
(IК = 10 А, IБ = 0,05 А)
UКЭ нас 2,0 1,5 25 ± 10
Напряжение насыщения база-эмиттер, В
(IК = 10 А, IБ = 0,05 А)
UБЭ нас 4,0 2,5 25 ± 10
Граничное напряжение, В
(Lк = 25 мГн, IК нас ≥ 0,8 А, IК изм = 0,5 А, RБЭ = ∞)
UКЭО гр 100 125 25 ± 10
Время рассасывания, мкс
(LК = 4,5 мГн, IК = 10 А, IБ нас = 0,1 А, UББ/RББ = –5 В / 10 Ом, UКЭ огр = 70 В)
tрас 2,5 25 ± 10
Время спада, мкс
(LК = 4,5 мГн, IК = 10 А, IБ нас = 0,1 А, UББ/RББ = –5 В / 10 Ом, UКЭ огр = 70 В)
tсп 1,0 25 ± 10
Тепловое сопротивление переход-корпус, С/Вт RТ п-к 1,4 1,2

* Параметры могут быть уточнены по результатам испытаний.

Предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-9, КТ-97в диапазоне температур от –60 °С до +125 °С
Наименование параметра,
единица измерения
Буквенное
обозначение
КТ-9 КТ-97 Приме­чания
Норма Норма
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В UКБО мах 100 250
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В UКЭR мах 100 250 1
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В UЭБ мах 5 8
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А IК мах 20 20 2
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А IК и мах 40 40 2
Максимально допустимый постоянный ток базы, А IБ мах 0,5 0,5
Максимально допустимый импульсный ток базы, А IБ и мах 0,8 0,8
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт PК мах 125 125 3
Максимально допустимая температура перехода, °С tП мах 200 175

Примечания:

  1. При RБЭ = 1 кОм.
  2. При температуре корпуса 25 °С. При температуре корпуса от 25 °С до 125 °С значение параметра рассчитывается исходя из tи, Q, PК max, RТ п-к и ОБР(F).
  3. При температуре корпуса свыше 25 °С рассеиваемая мощность PК мах снижается в соответствии с формулой PK max = (tП max – tК) / RТ П-К, где tП мах — максимальная температура перехода, tК — температура корпуса, RТ п-к — тепловое сопротивление переход-корпус.
Габаритный чертеж транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-97
Габаритный чертеж транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-97
(покрытие выводов припоем ПОС 61 только для корпусов с покрытием никелем)