![]() Акционерное общество |
Наименование изделия | Тип корпуса | UСИ max, B |
IС max, A |
IС(И) max, A |
RСИ отк, Ом |
PС max, Вт |
---|---|---|---|---|---|---|
2П7160А2 2П7160A3 |
КТ-111C-1.02 КТ-111C-2.02 |
30 | 46 | 70 | 0,006 (IС = 20 А, UЗИ = 12 В) |
125 |
2П7160Б2 2П7160Б3 |
КТ-111A-1.02 КТ-111A-2.02 |
100 | 20 | 50 | 0,048 (IС = 15 А, UЗИ = 10 В) |
75 |
2П7160В2 2П7160В3 |
КТ-111B-1.02 КТ-111B-2.02 |
200 | 35 | 70 | 0,080 (IС = 12 А, UЗИ = 10 В) |
125 |
2П7160Г2 2П7160Г3 |
КТ-111C-1.02 КТ-111C-2.02 |
400 | 23 | 46 | 0,200 (IС = 10 А, UЗИ = 10 В) |
150 |
2П7160Д2 2П7160Д3 |
КТ-111C-1.02 КТ-111C-2.02 |
500 | 20 | 46 | 0,230 (IС = 10 А, UЗИ = 10 В) |
150 |
2П7160Е2 2П7160Е3 |
КТ-111B-1.02 КТ-111B-2.02 |
60 | 35 | 70 | 0,008 (IС = 15 А, UЗИ = 10 В) |
150 |
2П7160Ж2 2П7160Ж3 |
КТ-111A-1.02 КТ-111A-2.02 |
100 | 20 | 50 | 0,036 (IС = 15 А, UЗИ = 10 В) |
100 |
2П7160И2 2П7160И3 |
КТ-111C-1.02 КТ-111C-2.02 |
200 | 35 | 70 | 0,055 (IС = 12 А, UЗИ = 10 В) |
150 |
2П7160К2 2П7160К3 |
КТ-111C-1.02 КТ-111C-2.02 |
600 | 20 | 46 | 0,270 (IС = 10 А, UЗИ = 10 В) |
150 |
Каждый типономинал содержит две группы вариантов исполнения:
Вариант исполнения корпуса типа КТ-111 А, В, С-2.02 указывается в документах на поставку.
Условное обозначение транзисторов при заказе и в конструкторской документации другой продукции:
Транзистор 2П7160А2 АЕЯР.432140.374 ТУ/Д1.
Транзистор 2П7160А3 АЕЯР.432140.374 ТУ/Д1.
Транзистор 2П7160А3• АЕЯР.432140.374 ТУ/Д1.
Наличие безпотенциального основания позволяет исключить необходимость электроизоляционных прокладок при установке на теплоотвод (радиатор).
Транзисторы в корпусах типа КТ-111 А, В, С-1.02, КТ-111 А, В, С-2.02 рекомендуется крепить к теплоотводу механическим способом при помощи прижимов в соответствии с рисунками 1, 2.
Транзисторы в корпусах типа КТ-111 А, В, С-1.02 рекомендуется крепить к теплоотводу механическим способом при помощи винта с металлической шайбой через полиамидную или из другого материала втулку с крутящим моментом не более 28 Н·см.
Вариант установки транзисторов при помощи прижимов предпочтителен.
![]() |
![]() |
1 — транзистор; 2 — теплоотвод; 3 — винт М2,5; 4 — прижим ПБВК.745441.002 (корпус КТ-111А), ПБВК.745441.002-01 (корпус КТ-111В), ПБВК.745441.002-02 (корпус КТ-111С); 5 — гровер шайба; 6 — шайба; 7 — втулка изолирующая полипропиленовая 3.1, 6 мм 180 град; крутящий момент не более 28 Н·см. |
Для улучшения теплового контакта рекомендуется наносить на нижнее основание корпуса транзисторов пасту КПТ-8 ГОСТ 19783–74.
Допускается транзисторы крепить к теплоотводу с применением теплопроводящих клеев с учетом их теплопроводности и рассеиваемой мощности стока.