Акционерное общество
«Фрязинский завод мощных транзисторов»
(АО «ФЗМТ»)

Россия, 141190, наукоград Фрязино, М.О., Заводской проезд, 3, т. (496) 565-27-20, т/ф (495) 660-15-62, fzmt@fzmt.ru.

Отдел сбыта: т/ф (495) 660-00-71, (496) 565-28-57, sbit@fzmt.ru.

Мощные радиационностойкие полевые транзисторы 2П7160 в металлокерамических корпусах (АЕЯР.432140.374ТУ/Д1)

Мощные кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и n-каналом, встроенным диодом в металлокерамических корпусах с изолированным (безпотенциальным) фланцем и планарными выводами транзисторы 2П7160 предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, импульсных модуляторах в качестве силовых транзисторных ключей и в другом электрооборудовании изделий специального назначения

Электрические параметры разработанных изделий.

Наименование изделия Тип корпуса UСИ max,
B
IС max,
A
IС(И) max,
A
RСИ отк,
Ом
PС max,
Вт
2П7160А2
2П7160A3
КТ-111C-1.02
КТ-111C-2.02
30 46 70 0,006
(IС = 20 А, UЗИ = 12 В)
125
2П7160Б2
2П7160Б3
КТ-111A-1.02
КТ-111A-2.02
100 20 50 0,048
(IС = 15 А, UЗИ = 10 В)
75
2П7160В2
2П7160В3
КТ-111B-1.02
КТ-111B-2.02
200 35 70 0,080
(IС = 12 А, UЗИ = 10 В)
125
2П7160Г2
2П7160Г3
КТ-111C-1.02
КТ-111C-2.02
400 23 46 0,200
(IС = 10 А, UЗИ = 10 В)
150
2П7160Д2
2П7160Д3
КТ-111C-1.02
КТ-111C-2.02
500 20 46 0,230
(IС = 10 А, UЗИ = 10 В)
150
2П7160Е2
2П7160Е3
КТ-111B-1.02
КТ-111B-2.02
60 35 70 0,008
(IС = 15 А, UЗИ = 10 В)
150
2П7160Ж2
2П7160Ж3
КТ-111A-1.02
КТ-111A-2.02
100 20 50 0,036
(IС = 15 А, UЗИ = 10 В)
100
2П7160И2
2П7160И3
КТ-111C-1.02
КТ-111C-2.02
200 35 70 0,055
(IС = 12 А, UЗИ = 10 В)
150
2П7160К2
2П7160К3
КТ-111C-1.02
КТ-111C-2.02
600 20 46 0,270
(IС = 10 А, UЗИ = 10 В)
150

Каждый типономинал содержит две группы вариантов исполнения:

  • вариант исполнения в корпусах типа КТ-111 А, В, С-1.02 с крепежным отверстием во фланце без металлизации обратной стороны фланца корпуса (в окончании обозначения типономинала цифра «2»);
  • вариант исполнения в корпусах типа КТ-111 А, В, С-2.02 без крепежного отверстия во фланце с металлизаций обратной стороны фланца корпуса (в окончании обозначения типономинала цифра «3») и без металлизации обратной стороны фланца корпуса (в окончании обозначения типономинала цифра «3» с точкой «•»).

Вариант исполнения корпуса типа КТ-111 А, В, С-2.02 указывается в документах на поставку.

Условное обозначение транзисторов при заказе и в конструкторской документации другой продукции:

Транзистор 2П7160А2 АЕЯР.432140.374 ТУ/Д1.

Транзистор 2П7160А3 АЕЯР.432140.374 ТУ/Д1.

Транзистор 2П7160А3• АЕЯР.432140.374 ТУ/Д1.

Наличие безпотенциального основания позволяет исключить необходимость электроизоляционных прокладок при установке на теплоотвод (радиатор).

Транзисторы в корпусах типа КТ-111 А, В, С-1.02, КТ-111 А, В, С-2.02 рекомендуется крепить к теплоотводу механическим способом при помощи прижимов в соответствии с рисунками 1, 2.

Транзисторы в корпусах типа КТ-111 А, В, С-1.02 рекомендуется крепить к теплоотводу механическим способом при помощи винта с металлической шайбой через полиамидную или из другого материала втулку с крутящим моментом не более 28 Н·см.

Вариант установки транзисторов при помощи прижимов предпочтителен.

1 — транзистор; 2 — теплоотвод; 3 — винт М2,5; 4 — прижим ПБВК.745441.002 (корпус КТ-111А), ПБВК.745441.002-01 (корпус КТ-111В), ПБВК.745441.002-02 (корпус КТ-111С); 5 — гровер шайба; 6 — шайба; 7 — втулка изолирующая полипропиленовая 3.1, 6 мм 180 град; крутящий момент не более 28 Н·см.

Для улучшения теплового контакта рекомендуется наносить на нижнее основание корпуса транзисторов пасту КПТ-8 ГОСТ 19783–74.

Допускается транзисторы крепить к теплоотводу с применением теплопроводящих клеев с учетом их теплопроводности и рассеиваемой мощности стока.