Транзисторы 2Т827 в корпусах типа КТ-97
АО «ФЗМТ» серийно выпускает транзисторы 2Т827 аА0.339.119ТУ (схема Дарлингтона) в корпусах типа КТ-9 с покрытием никелем. Корпуса типа КТ-9 имеют высокое значение материалоемкости, массы и габаритных размеров.
Гарантийная наработка транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-9 составляет 25 000 ч при максимально допустимой температуре перехода 200 °С.
С целью снижения массогабаритных показателей, увеличения гарантийной наработки и снижению максимальной температуры кристалла, АО «ФЗМТ» провело работы по разработке транзисторов 2Т827 аА0.339.119ТУ в корпусах типа КТ-97В с покрытием золотом и никелем.
Наработка транзисторов в 2Т827 в корпусах типа КТ-97 составляет не менее 50 000 ч при максимально допустимой температуре перехода не более 175 °С.
Основные электрические параметры и тепловое сопротивление транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-97 превосходят аналогичные параметры транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-9 и приведены в таблицах ниже.
Габаритный чертеж транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-97 приведен на рисунке.
Ждем от потенциальных потребителей заявки на поставки опытных образцов транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-97 с приемкой ОТК для опробования и принятия решения о дальнейшем применении.
Наименование параметра, единица измерения (режим измерения) | Буквенное обозначение | КТ-9 | КТ-97 | Температура среды, корпуса, °С | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Норма | Норма | |||||
Не менее | Не более | Не менее | Не более | |||
Обратный ток коллектор-эмиттер, мА (UКЭR = UКЭR max, RБЭ = 1 кОм) |
IКЭR | — | 1,0 | — | 0,3 | 25 ± 10 |
Обратный ток эмиттера, мА (UЭБО = 5 В, IК = 0) |
IЭБО | — | 2,0 | — | 2,0 | 25 ± 10 |
Статический коэффициент усиления по току (IК = 10 А, UКЭ = 3 В) |
h21 | 7500 | 18 000 | 1000 | 15 000 | 25 ± 10 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В (IК = 10 А, IБ = 0,05 А) |
UКЭ нас | — | 1,5 | — | 1,5 | 25 ± 10 |
Напряжение насыщения база-эмиттер, В (IК = 10 А, IБ = 0,05 А) |
UБЭ нас | — | 2,5 | — | 2,5 | 25 ± 10 |
Граничное напряжение, В (Lк = 25 мГн, IК нас ≥ 0,8 А, IК изм = 0,5 А, RБЭ = ∞) |
UКЭО гр | 100 | — | 125 | — | 25 ± 10 |
Время рассасывания, мкс (LК = 4,5 мГн, IК = 10 А, IБ нас = 0,1 А, UББ/RББ = –5 В/10 Ом, UКЭ огр = 70 В) |
tрас | — | 2.5 | — | 2,5 | 25 ± 10 |
Время спада, мкс (LК = 4,5 мГн, IК = 10 А, IБ нас = 0,1 А, UББ/RББ = –5 В/10 Ом, UКЭ огр = 70 В) |
tсп | — | 1.0 | — | 1,0 | 25 ± 10 |
Тепловое сопротивление переход-корпус, С/Вт | RТ п-к | — | 1,2 | — | 1,2 |
Наименование параметра, единица измерения |
Буквенное обозначение |
КТ-9 | КТ-97 | Примечания |
---|---|---|---|---|
Норма | Норма | |||
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В | UКБО мах | 100 | 250 | |
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В | UКЭR мах | 100 | 250 | 1 |
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В | UЭБ мах | 5 | 8 | |
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А | IК мах | 20 | 20 | 2 |
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А | IК и мах | 40 | 40 | 2 |
Максимально допустимый постоянный ток базы, А | IБ мах | 0,5 | 0,5 | |
Максимально допустимый импульсный ток базы, А | IБ и мах | 0,8 | 0,8 | |
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт | PК мах | 125 | 125 | 3 |
Максимально допустимая температура перехода, °С | tП мах | 200 | 175 |
Примечания:
- При RБЭ = 1 кОм.
- При температуре корпуса 25 °С. При температуре корпуса от 25 °С до 125 °С значение параметра рассчитывается исходя из tи, Q, PК max, RТ п-к и ОБР(F).
- При температуре корпуса свыше 25 °С рассеиваемая мощность PК мах снижается в соответствии с формулой PK max = (tП max – tК) / RТ П-К, где tП мах — максимальная температура перехода, tК — температура корпуса, RТ п-к — тепловое сопротивление переход-корпус.

(покрытие выводов припоем ПОС 61 только для корпусов с покрытием никелем)