Транзисторы 2Т827 в корпусах типа КТ-97

АО «ФЗМТ» серийно выпускает транзисторы 2Т827 аА0.339.119ТУ (схема Дарлингтона) в корпусах типа КТ-9 с покрытием никелем. Корпуса типа КТ-9 имеют высокое значение материалоемкости, массы и габаритных размеров.

Гарантийная наработка транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-9 составляет 25 000 ч при максимально допустимой температуре перехода 200 °С.

С целью снижения массогабаритных показателей, увеличения гарантийной наработки и снижению максимальной температуры кристалла, АО «ФЗМТ» провело работы по разработке транзисторов 2Т827 аА0.339.119ТУ в корпусах типа КТ-97В с покрытием золотом и никелем.

Наработка транзисторов в 2Т827 в корпусах типа КТ-97 составляет не менее 50 000 ч при максимально допустимой температуре перехода не более 175 °С.

Основные электрические параметры и тепловое сопротивление транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-97 превосходят аналогичные параметры транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-9 и приведены в таблицах ниже.

Габаритный чертеж транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-97 приведен на рисунке.

Ждем от потенциальных потребителей заявки на поставки опытных образцов транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-97 с приемкой ОТК для опробования и принятия решения о дальнейшем применении.

Значения электрических параметров и теплового сопротивления транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-9, КТ-97 при приемке и поставке

Наименование параметра, единица измерения (режим измерения)	Буквенное обозначение	КТ-9		КТ-97		Темпе­ратура среды, корпуса, °С
		Норма		Норма
		Не менее	Не более	Не менее	Не более
Обратный ток коллектор-эмиттер, мА (UКЭR = UКЭR max, RБЭ = 1 кОм)	IКЭR	—	1,0	—	0,3	25 ± 10
Обратный ток эмиттера, мА (UЭБО = 5 В, IК = 0)	IЭБО	—	2,0	—	2,0	25 ± 10
Статический коэффициент усиления по току (IК = 10 А, UКЭ = 3 В)	h21	7500	18 000	1000	15 000	25 ± 10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В (IК = 10 А, IБ = 0,05 А)	UКЭ нас	—	1,5	—	1,5	25 ± 10
Напряжение насыщения база-эмиттер, В (IК = 10 А, IБ = 0,05 А)	UБЭ нас	—	2,5	—	2,5	25 ± 10
Граничное напряжение, В (Lк = 25 мГн, IК нас ≥ 0,8 А, IК изм = 0,5 А, RБЭ = ∞)	UКЭО гр	100	—	125	—	25 ± 10
Время рассасывания, мкс (LК = 4,5 мГн, IК = 10 А, IБ нас = 0,1 А, UББ/RББ = –5 В/10 Ом, UКЭ огр = 70 В)	tрас	—	2.5	—	2,5	25 ± 10
Время спада, мкс (LК = 4,5 мГн, IК = 10 А, IБ нас = 0,1 А, UББ/RББ = –5 В/10 Ом, UКЭ огр = 70 В)	tсп	—	1.0	—	1,0	25 ± 10
Тепловое сопротивление переход-корпус, С/Вт	RТ п-к	—	1,2	—	1,2

Предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации транзисторов 2Т827 в корпусах типа КТ-9, КТ-97 в диапазоне температур от –60 °С до +125 °С

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	КТ-9	КТ-97	Приме­чания
		Норма	Норма
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В	UКБО мах	100	250
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В	UКЭR мах	100	250	1
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В	UЭБ мах	5	8
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А	IК мах	20	20	2
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А	IК и мах	40	40	2
Максимально допустимый постоянный ток базы, А	IБ мах	0,5	0,5
Максимально допустимый импульсный ток базы, А	IБ и мах	0,8	0,8
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт	PК мах	125	125	3
Максимально допустимая температура перехода, °С	tП мах	200	175

Примечания:

1. При R_БЭ = 1 кОм.
2. При температуре корпуса 25 °С. При температуре корпуса от 25 °С до 125 °С значение параметра рассчитывается исходя из t_и, Q, P_К max, R_Т п-к и ОБР(F).
3. При температуре корпуса свыше 25 °С рассеиваемая мощность P_К мах снижается в соответствии с формулой P_{K max} = (t_{П max} – t_К) / R_{Т П-К}, где t_{П мах} — максимальная температура перехода, t_К — температура корпуса, R_{Т п-к} — тепловое сопротивление переход-корпус.