Мощные радиационностойкие полевые транзисторы КП7160 ПБВК.432147.004ТУ в металлокерамических корпусах с приемкой ОТК

Мощные кремниевые эпитаксиально-планарные n-канальные с изолированным затвором и встроенным обратным диодом полевые транзисторы КП7160 ПБВК.432147.004ТУ общего назначения в беспотенциальных герметичных металлокерамических корпусах с планарными гибкими плоскими выводами предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, электроприводах и другой преобразовательной аппаратуре в качестве силовых ключей.

Категория качества приборов – «ОТК» (приемка «1»).

Таблица основных параметров
Наименование
изделия		 Тип
корпуса		 Предельно допустимые электрические режимы Электрические параметры и тепловое сопротивление
UСИ max,
B		 UЗИ max,
B		 IС max,
А		 IС(И) max,
А		 PС мах,
Вт		 IС нач,
мА		 IЗ ут,
нА		 UЗИ пор,
B		 RСИ отк,
Ом		 tсп,
мкс		 RТ п-к,
°С/Bт
КП7160А1
КП7160Р3		 КТ-111А-2.02 30 ±20 20 50 100 ≤0,2 ≤100 2—4 0,008
(IС = 10 А, UЗИ = 10 В)		 ≤0,15 ≤1,25
КП7160A3 КТ-111C-2.02 30 ±20 46 70 125 ≤0,2 ≤100 2—4 0,006
(IС = 20 А, UЗИ = 12 В)		 ≤0,15 ≤1,00
КП7160Б3 КТ-111A-2.02 100 ±20 20 50 75 ≤0,2 ≤100 2—4 0,048
(IС = 15 А, UЗИ = 10 В)		 ≤0,12 ≤1,67
КП7160В3 КТ-111B-2.02 200 ±20 35 70 125 ≤0,2 ≤100 2—4 0,080
(IС = 12 А, UЗИ = 10 В)		 ≤0,15 ≤1,00
КП7160Г3 КТ-111C-2.02 400 ±20 23 46 150 ≤0,2 ≤100 2—4 0,200
(IС = 10 А, UЗИ = 10 В)		 ≤0,15 ≤0,83
КП7160Д3 КТ-111C-2.02 500 ±20 20 46 150 ≤0,2 ≤100 2—4 0,230
(IС = 10 А, UЗИ = 10 В)		 ≤0,15 ≤0,83
КП7160Е3 КТ-111B-2.02 60 ±20 35 70 150 ≤0,2 ≤100 2—4 0,008
(IС = 15 А, UЗИ = 10 В)		 ≤0,15 ≤0,83
КП7160Ж3 КТ-111A-2.02 100 ±20 20 50 100 ≤0,2 ≤100 2—4 0,036
(IС = 15 А, UЗИ = 10 В)		 ≤0,13 ≤1,25
КП7160И3 КТ-111C-2.02 200 ±20 35 70 150 ≤0,2 ≤100 2—4 0,055
(IС = 12 А, UЗИ = 10 В)		 ≤0,15 ≤0,83
КП7160К3 КТ-111C-2.02 600 ±20 20 46 150 ≤0,2 ≤100 2—4 0,270
(IС = 10 А, UЗИ = 10 В)		 ≤0,15 ≤0,83
КП7160Л3 КТ-111С-5 1200 ±20 10 25 200 ≤0,2 ≤100 2—4 1,00
(IС = 5 А, UЗИ = 15 В)		 ≤0,15 ≤0,625
КП7160М3 КТ-111С-5 600 ±20 20 60 180 ≤0,2 ≤100 2—4 0,15
(IС = 10 А, UЗИ = 15 В)		 ≤0,15 ≤0,69
КП7160Н3 КТ-111С-5 100 ±20 50 150 150 ≤0,2 ≤100 2—4 0,01
(IС = 25 А, UЗИ = 15 В)		 ≤0,10 ≤0,83
КП7160П3 КТ-111С-5 60 ±20 50 150 150 ≤0,2 ≤100 2—4 0,005
(IС = 30 А, UЗИ = 15 В)		 ≤0,10 ≤0,83

Масса транзистора в корпусе КТ-111A-2.02 — 1,8 г, КТ-111B-2.02 — 3,1 г, КТ-111C-2.02 — 3,6 г, КТ-111C-5 — 4,5 г.

Наличие беспотенциального основания позволяет исключить необходимость электроизоляционных прокладок при установке на теплоотвод (радиатор).

Условное обозначение транзисторов при заказе и в конструкторской документации другой продукции:

Транзисторы рекомендуется крепить к теплоотводу механическим способом при помощи прижима в соответствии с рисунком.

Вариант установки транзисторов при помощи прижимов предпочтителен.

Чертеж крепления КП7160А1
1 — транзистор; 2 — теплоотвод; 3 — винт М2,5; 4 — прижим ПБВК.745441.002 (корпус КТ-111А-2.02), ПБВК.745441.002-01 (корпус КТ-111В-2.02), ПБВК.745441.002-02 (корпус КТ-111С-2.02, КТ-111С-5); 5 — гровер шайба; 6 — шайба; крутящий момент не более 28 Н·см.

Для улучшения теплового контакта рекомендуется наносить на нижнее основание корпуса транзисторов пасту КПТ-8 ГОСТ 19783-74.

Допускается транзисторы крепить к теплоотводу с применением теплопроводящих клеев с учетом их теплопроводности и рассеиваемой мощности стока.