Акционерное общество
«Фрязинский завод мощных транзисторов»

Россия, 141190, наукоград Фрязино, М.О., ул. Заводской проезд, д. 3. Приемная: тел. +7 (496) 565-27-20, т/ф +7 (496) 565-27-02, fzmt@fzmt.ru.

Отдел сбыта и маркетинга: т/ф +7 (496) 565-28-57, тел. +7 (495) 660-00-71, sbit@fzmt.ru.

В соответствие с определением Арбитражного суда Московской области от 05.08.2021 по делу №А41-84744/2019, в отношении АО «ФЗМТ» прекращено производство по делу о банкротстве, процедура наблюдения снята.

Мощные радиационностойкие полевые транзисторы 2П7160 АЕЯР.432140.374ТУ/Д1 в металлокерамических корпусах с приемкой ВП

Мощные радиационностойкие кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и n-каналом, встроенным диодом в металлокерамических корпусах (АЕЯР.432140.374ТУ/Д1) с изолированным (беспотенциальным) фланцем и планарными выводами транзисторы 2П7160 предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, импульсных модуляторах в качестве силовых транзисторных ключей и в другом электрооборудовании изделий специального назначения.

Транзисторы обладают повышенной стойкостью к воздействиям спецфакторов.

Наличие беcпотенциального основания позволяет исключить необходимость электроизоляционных прокладок при установке на теплоотвод (радиатор).

Электрические параметры разработанных изделий
Наименование
изделия
Тип корпуса UСИ max,
B
IС max,
A
IС(И) max,
A
RСИ отк,
Ом
PС max,
Вт
2П7160А2
2П7160A3•
КТ-111C-1.02
КТ-111C-2.02
30 46 70 0,006
(IС = 20 А, UЗИ = 12 В)
125
2П7160Б2
2П7160Б3•
КТ-111A-1.02
КТ-111A-2.02
100 20 50 0,048
(IС = 15 А, UЗИ = 10 В)
75
2П7160В2
2П7160В3•
КТ-111B-1.02
КТ-111B-2.02
200 35 70 0,080
(IС = 12 А, UЗИ = 10 В)
125
2П7160Г2
2П7160Г3•
КТ-111C-1.02
КТ-111C-2.02
400 23 46 0,200
(IС = 10 А, UЗИ = 10 В)
150
2П7160Д2
2П7160Д3•
КТ-111C-1.02
КТ-111C-2.02
500 20 46 0,230
(IС = 10 А, UЗИ = 10 В)
150
2П7160Е2
2П7160Е3•
КТ-111B-1.02
КТ-111B-2.02
60 35 70 0,008
(IС = 15 А, UЗИ = 10 В)
150
2П7160Ж2
2П7160Ж3•
КТ-111A-1.02
КТ-111A-2.02
100 20 50 0,036
(IС = 15 А, UЗИ = 10 В)
100
2П7160И2
2П7160И3•
КТ-111C-1.02
КТ-111C-2.02
200 35 70 0,055
(IС = 12 А, UЗИ = 10 В)
150
2П7160К2
2П7160К3•
КТ-111C-1.02
КТ-111C-2.02
600 20 46 0,270
(IС = 10 А, UЗИ = 10 В)
150
2П7160Л3 КТ-111С-5 1200 10 25 1,00
(IС = 5 А, UЗИ = 15 В)
200
2П7160М3 КТ-111С-5 600 20 60 0,15
(IС = 10 А, UЗИ = 15 В)
180
2П7160Н3 КТ-111С-5 100 50 150 0,01
(IС = 25 А, UЗИ = 15 В)
150
2П7160П3 КТ-111С-5 60 50 150 0,005
(IС = 30 А, UЗИ = 15 В)
150
2П7160Р3 КТ-111С-2.02 30 20 50 0,008
(IС = 10 А, UЗИ = 10 В)
100

Каждый типономинал содержит две группы вариантов исполнения:

  • Вариант исполнения в корпусах типа КТ-111А,В,С-1.02 с крепежным отверстием во фланце без металлизации обратной стороны фланца корпуса (в окончании обозначения типономинала цифра «2»).
  • Вариант исполнения в корпусах типа КТ-111А,В,С-2.02 без крепежного отверстия во фланце без металлизации обратной стороны фланца корпуса (в окончании обозначения типономинала цифра «3•» с точкой).

Транзисторы в корпусах типа КТ-111А,В,С-1.02 включены в Решение от 2020 г. о снятии с производства. В новых разработках не применять!

Условное обозначение транзисторов при заказе и в конструкторской документации другой продукции:

  • Транзистор 2П7160А2 АЕЯР.432140.374ТУ/Д1.
  • Транзистор 2П7160А3• АЕЯР.432140.374ТУ/Д1.

Транзисторы в корпусах типа КТ-111 рекомендуется крепить к теплоотводу механическим способом при помощи прижимов в соответствии с рисунками 1 и 2.

Вариант установки транзисторов при помощи прижимов предпочтителен.

Чертеж крепления мощного радиационностойкого полевого транзистора 2П7160 в металлокерамическом корпусе с фланцем
Чертеж крепления мощного радиационностойкого полевого транзистора 2П7160 в металлокерамическом корпусе без фланца

1 — транзистор; 2 — теплоотвод; 3 — винт М2,5; 4 — прижим ПБВК.745441.002 (корпус КТ-111А), ПБВК.745441.002-01 (корпус КТ-111В), ПБВК.745441.002-02 (корпус КТ-111С); 5 — гровер шайба; 6 — шайба; 7 — втулка изолирующая полипропиленовая 3.1, 6 мм 180°; крутящий момент не более 28 Н·см.

Для улучшения теплового контакта рекомендуется наносить на нижнее основание корпуса транзисторов пасту КПТ-8 ГОСТ 19783-74.

Допускается транзисторы крепить к теплоотводу с применением теплопроводящих клеев с учетом их теплопроводности и рассеиваемой мощности стока.