Акционерное общество
«Фрязинский завод мощных транзисторов»

Россия, 141190, наукоград Фрязино, М.О., Заводской проезд, 3, т. (496) 565-27-20, т/ф (495) 660-15-62, fzmt@fzmt.ru.

Отдел сбыта и маркетинга: т/ф (495) 660-00-71, (496) 565-28-57, sbit@fzmt.ru.

Изделия / Приемка ВП / 2П7160

Мощные полевые транзисторы 2П7160 в металлостеклянных корпусах с приемкой ВП

Мощные переключательные МОП транзисторы с n-каналом используются в различных областях электронной техники: устройствах коммутации многоканальных систем, вторичных источниках питания, схемах управления электродвигателями, системах терморегулирования и приводах солнечных батарей, космических аппаратах и другой специальной аппаратуре. Транзисторы обладают повышенной устойчивостью к ВВФ специального назначения и космического пространства.

МОП транзисторы изготавливаются в плоских металлостеклянных корпусах с планарными выводами КТ-97A, КТ-97B, КТ-97C. Масса транзистора в корпусе КТ-97A — 5г, КТ-97B — 8,5 г, КТ-97C — 10 г.

Основные электрические параметры.

Наименование
изделия
Тип
корпуса
Покрытие
корпуса
UСИ max,
B
IС max,
A
IС(И) max,
A
RСИ отк,
Ом
PС max,
Вт
2П7160А
2П7160А1
КТ-97C Au
Ni
30 46 70 0,006
(IС=20 А, UЗИ=12 В)
125
2П7160Б
2П7160Б1
КТ-97A Au
Ni
100 20 50 0,048
(IС=15 А, UЗИ=10 В)
75
2П7160В
2П7160В1
КТ-97B Au
Ni
200 35 70 0,080
(IС=12 А, UЗИ=10 В)
125
2П7160Г
2П7160Г1
КТ-97C Au
Ni
400 23 46 0,200
(IС=10 А, UЗИ=10 В)
150
2П7160Д
2П7160Д1
КТ-97C Au
Ni
500 20 46 0,230
(IС=10 А, UЗИ=10 В)
150
2П7160Е
2П7160Е1
КТ-97B Au
Ni
60 35 70 0,008
(IС=15 А, UЗИ=10 В)
150
2П7160Ж
2П7160Ж1
КТ-97A Au
Ni
100 20 50 0,036
(IС=15 А, UЗИ=10 В)
100
2П7160И
2П7160И1
КТ-97C Au
Ni
200 35 70 0,055
(IС=12 А, UЗИ=10 В)
150
2П7160К
2П7160К1
КТ-97C Au
Ni
600 20 46 0,270
(IС=10 А, UЗИ=10 В)
150

Каждый типономинал содержит две группы вариантов исполнения:

  • вариант исполнения в корпусах с покрытием на основе золота;
  • вариант исполнения в корпусах с покрытием на основе никеля (в окончании обозначения типономинала цифра «1».

Условное обозначение транзисторов при заказе и в конструкторской документации другой продукции:

Транзистор 2П7160А АЕЯР.432140.374 ТУ.

Транзистор 2П7160А1 АЕЯР.432140.374 ТУ.

Наличие безпотенциального основания позволяет исключить необходимость электроизоляционных прокладок при установке на теплоотвод (радиатор).

Транзистор рекомендуется прижать к теплоотводу прижимом.

Рекомендуемый крутящий момент не более 28 Н·см для корпуса КТ-97А, не более 36 Н·см для корпуса КТ-97В, не более 48 Н·см для корпуса КТ-97С.

Для улучшения теплового контакта рекомендуется наносить на нижнее основание корпуса транзисторов пасту типа КПТ-8 ГОСТ 19783–74.