Мощные радиационностойкие полевые транзисторы КП7160А1 ПБВК.432147.004ТУ в металлокерамическом корпусе с приемкой ОТК

Мощные кремниевые эпитаксиально-планарные n-канальные с изолированным затвором и встроенным обратным диодом полевые транзисторы КП7160А1 ПБВК.432147.004ТУ общего назначения в беспотенциальных герметичных металлокерамических корпусах с планарными гибкими плоскими выводами предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, электроприводах и другой преобразовательной аппаратуре в качестве силовых ключей.

Категория качества приборов – «ОТК» (приемка «1»).

Таблица основных параметров
Наименование
изделия		 Тип
корпуса		 Предельно допустимые электрические режимы Электрические параметры и тепловое сопротивление
UСИ max,
B		 UЗИ max,
B		 IС max,
А		 IС(И) max,
А		 PС мах,
Вт		 IС нач,
мА		 IЗ ут,
нА		 UЗИ пор,
B		 RСИ отк,
Ом		 tсп,
мкс		 RТ п-к,
°С/Bт
КП7160А1 КТ-111А-2.02 30 ±20 20 70 125 ≤0,2 ≤100 2—4 0,008
(IС = 10 А, UЗИ = 10 В)		 ≤0,15 ≤1,2

Условное обозначение транзисторов при заказе и в конструкторской документации другой продукции:

Транзистор КП7160А1 ПБВК.432147.004ТУ.

Наличие беспотенциального основания позволяет исключить необходимость электроизоляционных прокладок при установке на теплоотвод (радиатор).

Транзисторы рекомендуется крепить к теплоотводу механическим способом при помощи прижима в соответствии с рисунком.

Чертеж крепления КП7160А1
1 — транзистор; 2 — теплоотвод; 3 — винт М2,5; 4 — прижим ПБВК.745441.002; 5 — гровер шайба; 6 — шайба; крутящий момент не более 28 Н·см.

Для улучшения теплового контакта рекомендуется наносить на нижнее основание корпуса транзисторов пасту КПТ-8 ГОСТ 19783-74.

Допускается транзисторы крепить к теплоотводу с применением теплопроводящих клеев с учетом их теплопроводности и рассеиваемой мощности стока.