Мощные радиационностойкие полевые транзисторы КП7160А1 ПБВК.432147.004ТУ в металлокерамическом корпусе с приемкой ОТК

Мощные кремниевые эпитаксиально-планарные n-канальные с изолированным затвором и встроенным обратным диодом полевые транзисторы КП7160А1 общего назначения в беспотенциальных герметичных металлокерамических корпусах с планарными гибкими плоскими выводами, предназначенные для работы во вторичных источниках электропитания, электроприводах и другой преобразовательной аппаратуре в качестве силовых ключей.

Основные электрические параметры транзистора
Условное обозначение Тип корпуса Основные параметры в нормальных климатических условиях, буквенное обозначение, единица измерения, режим измерения
Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ max, В (UЗИ = 0 В) Сопротивление сток-исток в открытом состоянии, RСИ отк, Ом (IС = 20 А, UЗИ = 12 В) Максимально допустимый постоянный ток стока, IС max, А
КП7160А1 КТ-111А-2.02 30 0,008 20

Условное обозначение транзисторов при заказе и в конструкторской документации другой продукции:

Транзистор КП7160А1 ПБВК.432147.004ТУ.

Наличие беспотенциального основания позволяет исключить необходимость электроизоляционных прокладок при установке на теплоотвод (радиатор).

Транзисторы рекомендуется крепить к теплоотводу механическим способом при помощи прижима в соответствии с рисунком.

Чертеж крепления КП7160А1
1 — транзистор; 2 — теплоотвод; 3 — винт М2,5; 4 — прижим ПБВК.745441.002; 5 — гровер шайба; 6 — шайба; крутящий момент не более 28 Н·см.

Для улучшения теплового контакта рекомендуется наносить на нижнее основание корпуса транзисторов пасту КПТ-8 ГОСТ 19783-74.

Допускается транзисторы крепить к теплоотводу с применением теплопроводящих клеев с учетом их теплопроводности и рассеиваемой мощности стока.