Мощные радиационностойкие полевые транзисторы 2П7160 АЕЯР.432140.374ТУ/Д1 в металлокерамических корпусах с приемкой ВП
Мощные радиационностойкие кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и n-каналом, встроенным диодом в металлокерамических корпусах (АЕЯР.432140.374ТУ/Д1) с изолированным (беспотенциальным) фланцем и планарными выводами транзисторы 2П7160 предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, импульсных модуляторах в качестве силовых транзисторных ключей и в другом электрооборудовании изделий специального назначения.
Наличие беcпотенциального основания позволяет исключить необходимость электроизоляционных прокладок при установке на теплоотвод (радиатор).
| Наименование изделия | Тип корпуса | UСИ max, B | IС max, A | IС(И) max, A | RСИ отк, Ом | PС max, Вт |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2П7160А2 2П7160A3• |
КТ-111C-1.02 КТ-111C-2.02 |
30 | 46 | 70 | 0,006 (IС = 20 А, UЗИ = 12 В) |
125 |
| 2П7160Б2 2П7160Б3• |
КТ-111A-1.02 КТ-111A-2.02 |
100 | 20 | 50 | 0,048 (IС = 15 А, UЗИ = 10 В) |
75 |
| 2П7160В2 2П7160В3• |
КТ-111B-1.02 КТ-111B-2.02 |
200 | 35 | 70 | 0,080 (IС = 12 А, UЗИ = 10 В) |
125 |
| 2П7160Г2 2П7160Г3• |
КТ-111C-1.02 КТ-111C-2.02 |
400 | 23 | 46 | 0,200 (IС = 10 А, UЗИ = 10 В) |
150 |
| 2П7160Д2 2П7160Д3• |
КТ-111C-1.02 КТ-111C-2.02 |
500 | 20 | 46 | 0,230 (IС = 10 А, UЗИ = 10 В) |
150 |
| 2П7160Е2 2П7160Е3• |
КТ-111B-1.02 КТ-111B-2.02 |
60 | 35 | 70 | 0,008 (IС = 15 А, UЗИ = 10 В) |
150 |
| 2П7160Ж2 2П7160Ж3• |
КТ-111A-1.02 КТ-111A-2.02 |
100 | 20 | 50 | 0,036 (IС = 15 А, UЗИ = 10 В) |
100 |
| 2П7160И2 2П7160И3• |
КТ-111C-1.02 КТ-111C-2.02 |
200 | 35 | 70 | 0,055 (IС = 12 А, UЗИ = 10 В) |
150 |
| 2П7160К2 2П7160К3• |
КТ-111C-1.02 КТ-111C-2.02 |
600 | 20 | 46 | 0,270 (IС = 10 А, UЗИ = 10 В) |
150 |
| 2П7160Л3 | КТ-111С-5 | 1200 | 10 | 25 | 1,00 (IС = 5 А, UЗИ = 15 В) |
200 |
| 2П7160М3 | КТ-111С-5 | 600 | 20 | 60 | 0,15 (IС = 10 А, UЗИ = 15 В) |
180 |
| 2П7160Н3 | КТ-111С-5 | 100 | 50 | 150 | 0,01 (IС = 25 А, UЗИ = 15 В) |
150 |
| 2П7160П3 | КТ-111С-5 | 60 | 50 | 150 | 0,005 (IС = 30 А, UЗИ = 15 В) |
150 |
| 2П7160Р3 | КТ-111А-2.02 | 30 | 20 | 50 | 0,008 (IС = 10 А, UЗИ = 10 В) |
100 |
Каждый типономинал содержит две группы вариантов исполнения:
- Вариант исполнения в корпусах типа КТ-111А,В,С-1.02 с крепежным отверстием во фланце без металлизации обратной стороны фланца корпуса (в окончании обозначения типономинала цифра «2»).
- Вариант исполнения в корпусах типа КТ-111А,В,С-2.02 без крепежного отверстия во фланце без металлизации обратной стороны фланца корпуса (в окончании обозначения типономинала цифра «3•» с точкой).
Транзисторы в корпусах типа КТ-111А,В,С-1.02 включены в Решение от 2020 г. о снятии с производства. В новых разработках не применять!
Условное обозначение транзисторов при заказе и в конструкторской документации другой продукции:
- Транзистор 2П7160А2 АЕЯР.432140.374ТУ/Д1.
- Транзистор 2П7160А3• АЕЯР.432140.374ТУ/Д1.
Транзисторы в корпусах типа КТ-111 рекомендуется крепить к теплоотводу механическим способом при помощи прижимов в соответствии с рисунками 1 и 2.
Вариант установки транзисторов при помощи прижимов предпочтителен.
1 — транзистор; 2 — теплоотвод; 3 — винт М2,5; 4 — прижим ПБВК.745441.002 (корпус КТ-111А), ПБВК.745441.002-01 (корпус КТ-111В), ПБВК.745441.002-02 (корпус КТ-111С); 5 — гровер шайба; 6 — шайба; 7 — втулка изолирующая полипропиленовая 3.1, 6 мм 180°; крутящий момент не более 28 Н·см.
Для улучшения теплового контакта рекомендуется наносить на нижнее основание корпуса транзисторов пасту КПТ-8 ГОСТ 19783-74.
Допускается транзисторы крепить к теплоотводу с применением теплопроводящих клеев с учетом их теплопроводности и рассеиваемой мощности стока.