Транзисторы 2Т935Б2 в корпусах типа КТ-111В-2.02
В настоящее время АО «ФЗМТ» серийно выпускает транзисторы 2Т935Б аА0.339.006ТУ в металлостеклянном корпусе типа КТ-97В с потенциальным основанием.
С целью расширения номенклатуры и области применения транзисторов 2Т935Б АО «ФЗМТ» проводит работы по разработке транзисторов в беспотенциальных металлокерамических корпусах типа КТ-111В-2.02.
Преимуществом предлагаемого конструктивного исполнения является снижение трудоемкости изготовления и повышения надежности транзисторов за счет исключения промежуточной изолированной контактной площадки для выполнения УЗ сварки выводов базы и эмиттера с кристалла на траверсы.
Кроме того, беспотенциальные корпуса типа КТ-111В-2.02 позволяют устанавливать транзисторы на теплоотвод без применения изолирующих прокладок. Это приводит к снижению теплового сопротивления кристалл-теплоотвод и, как следствие, к снижению температуры кристалла и повышению надежности.
Конструктивные различия транзисторов 2Т935Б и 2Т935Б2 приведены на рисунке.
![Чертеж 2Т935Б в корпусе КТ-97В](/images/designs/2t935b-in-kt-97b.jpeg)
![Чертеж 2Т935Б2 в корпусе КТ-111В-2.02](/images/designs/2t935b2-in-kt-111b-2.02.jpeg)