Мощные радиационностойкие полевые транзисторы 2П7160 АЕЯР.432140.374ТУ в металлостеклянных корпусах с приемкой ВП

Мощные кремниевые эпитаксиально-планарные полевые, с изолированным затвором и n-каналом, встроенным диодом в металлстеклянных корпусах с неизолированным фланцем и планарными выводами транзисторы 2П7160 АЕЯР.432140.374ТУ предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, импульсных модуляторах в качестве силовых транзисторных ключей и в другом электрооборудовании изделий специального назначения.

Транзисторы изготавливают одного типа восемнадцати типономиналов. Возможны два варианта исполнения: в корпусах с покрытием золотом и в корпусах с покрытием никелем.

Категория качества приборов – «ВП» (приемка «5»).

Таблица основных параметров
Наименование
изделия		 Тип
корпуса		 Предельно допустимые электрические режимы Электрические параметры и тепловое сопротивление
UСИ max,
B		 UЗИ max,
B		 IС max,
А		 IС(И) max,
А		 PС мах,
Вт		 IС нач,
мА		 IЗ ут,
нА		 UЗИ пор,
B		 RСИ отк,
Ом		 QЗИ тип,
нКл		 tсп,
мкс		 RТ п-к,
°С/Bт
2П7160А
2П7160A1		 КТ-97C Au
КТ-97C Ni		 30 ±20 46 70 125 ≤0,2 ≤100 2—4 0,006
(IС = 20 А, UЗИ = 12 В)		 190 ≤0,15 ≤1,00
2П7160Б
2П7160Б1		 КТ-97A Au
КТ-97A Ni		 100 ±20 20 50 75 ≤0,2 ≤100 2—4 0,048
(IС = 15 А, UЗИ = 10 В)		 85 ≤0,12 ≤1,67
2П7160В
2П7160В1		 КТ-97B Au
КТ-97B Ni		 200 ±20 35 70 125 ≤0,2 ≤100 2—4 0,080
(IС = 12 А, UЗИ = 10 В)		 140 ≤0,15 ≤1,00
2П7160Г
2П7160Г1		 КТ-97C Au
КТ-97C Ni		 400 ±20 23 46 150 ≤0,2 ≤100 2—4 0,200
(IС = 10 А, UЗИ = 10 В)		 165 ≤0,15 ≤0,83
2П7160Д
2П7160Д1		 КТ-97C Au
КТ-97C Ni		 500 ±20 20 46 150 ≤0,2 ≤100 2—4 0,230
(IС = 10 А, UЗИ = 10 В)		 165 ≤0,15 ≤0,83
2П7160Е
2П7160Е1		 КТ-97B Au
КТ-97B Ni		 60 ±20 35 70 150 ≤0,2 ≤100 2—4 0,008
(IС = 15 А, UЗИ = 10 В)		 300 ≤0,15 ≤0,83
2П7160Ж
2П7160Ж1		 КТ-97A Au
КТ-97A Ni		 100 ±20 20 50 100 ≤0,2 ≤100 2—4 0,036
(IС = 15 А, UЗИ = 10 В)		 120 ≤0,13 ≤1,25
2П7160И
2П7160И1		 КТ-97C Au
КТ-97C Ni		 200 ±20 35 70 150 ≤0,2 ≤100 2—4 0,055
(IС = 12 А, UЗИ = 10 В)		 270 ≤0,15 ≤0,83
2П7160К
2П7160К1		 КТ-97C Au
КТ-97C Ni		 600 ±20 20 46 150 ≤0,2 ≤100 2—4 0,270
(IС = 10 А, UЗИ = 10 В)		 165 ≤0,15 ≤0,83

Масса транзистора в корпусе КТ-97A — 5 г, КТ-97B — 8,5 г, КТ-97C — 10 г.

Транзисторы обладают повышенной стойкостью к воздействиям спецфакторов.

Условное обозначение транзисторов при заказе и в конструкторской документации другой продукции:

Транзистор рекомендуется прижать к теплоотводу прижимом.

Рекомендуемый крутящий момент не более 28 Н·см для корпуса КТ-97А, не более 36 Н·см для корпуса КТ-97В, не более 48 Н·см для корпуса КТ-97С.

Для улучшения теплового контакта рекомендуется наносить на нижнее основание корпуса транзисторов пасту типа КПТ-8 ГОСТ 19783-74.