Мощные радиационностойкие полевые транзисторы 2П7160 АЕЯР.432140.374ТУ/Д1 в металлокерамических корпусах с приемкой ВП

Мощные кремниевые эпитаксиально-планарные n-канальные полевые транзисторы 2П7160 АЕЯР.432140.374ТУ/Д1 с изолированным затвором и обратным диодом в беспотенциальных герметичных металлокерамических корпусах с планарными гибкими плоскими выводами предназначены для работы в качестве силовых ключей в аппаратуре специального назначения.

Транзисторы изготавливают одного типа двадцати четырех типономиналов.

Категория качества приборов – «ВП» (приемка «5»).

Таблица основных параметров
Наименование
изделия		 Тип
корпуса		 Предельно допустимые электрические режимы Электрические параметры и тепловое сопротивление
UСИ max,
B		 UЗИ max,
B		 IС max,
А		 IС(И) max,
А		 PС мах,
Вт		 IС нач,
мА		 IЗ ут,
нА		 UЗИ пор,
B		 RСИ отк,
Ом		 tсп,
мкс		 RТ п-к,
°С/Bт
2П7160А2
2П7160A3•		 КТ-111C-1.02
КТ-111C-2.02		 30 ±20 46 70 125 ≤0,2 ≤100 2—4 0,006
(IС = 20 А, UЗИ = 12 В)		 ≤0,15 ≤1,00
2П7160Б2
2П7160Б3•		 КТ-111A-1.02
КТ-111A-2.02		 100 ±20 20 50 75 ≤0,2 ≤100 2—4 0,048
(IС = 15 А, UЗИ = 10 В)		 ≤0,12 ≤1,67
2П7160В2
2П7160В3•		 КТ-111B-1.02
КТ-111B-2.02		 200 ±20 35 70 125 ≤0,2 ≤100 2—4 0,080
(IС = 12 А, UЗИ = 10 В)		 ≤0,15 ≤1,00
2П7160Г2
2П7160Г3•		 КТ-111C-1.02
КТ-111C-2.02		 400 ±20 23 46 150 ≤0,2 ≤100 2—4 0,200
(IС = 10 А, UЗИ = 10 В)		 ≤0,15 ≤0,83
2П7160Д2
2П7160Д3•		 КТ-111C-1.02
КТ-111C-2.02		 500 ±20 20 46 150 ≤0,2 ≤100 2—4 0,230
(IС = 10 А, UЗИ = 10 В)		 ≤0,15 ≤0,83
2П7160Е2
2П7160Е3•		 КТ-111B-1.02
КТ-111B-2.02		 60 ±20 35 70 150 ≤0,2 ≤100 2—4 0,008
(IС = 15 А, UЗИ = 10 В)		 ≤0,15 ≤0,83
2П7160Ж2
2П7160Ж3•		 КТ-111A-1.02
КТ-111A-2.02		 100 ±20 20 50 100 ≤0,2 ≤100 2—4 0,036
(IС = 15 А, UЗИ = 10 В)		 ≤0,13 ≤1,25
2П7160И2
2П7160И3•		 КТ-111C-1.02
КТ-111C-2.02		 200 ±20 35 70 150 ≤0,2 ≤100 2—4 0,055
(IС = 12 А, UЗИ = 10 В)		 ≤0,15 ≤0,83
2П7160К2
2П7160К3•		 КТ-111C-1.02
КТ-111C-2.02		 600 ±20 20 46 150 ≤0,2 ≤100 2—4 0,270
(IС = 10 А, UЗИ = 10 В)		 ≤0,15 ≤0,83
2П7160Л3 КТ-111С-5 1200 ±20 10 25 200 ≤0,2 ≤100 2—4 1,00
(IС = 5 А, UЗИ = 15 В)		 ≤0,15 ≤0,625
2П7160М3 КТ-111С-5 600 ±20 20 60 180 ≤0,2 ≤100 2—4 0,15
(IС = 10 А, UЗИ = 15 В)		 ≤0,15 ≤0,69
2П7160Н3 КТ-111С-5 100 ±20 50 150 150 ≤0,2 ≤100 2—4 0,01
(IС = 25 А, UЗИ = 15 В)		 ≤0,10 ≤0,83
2П7160П3 КТ-111С-5 60 ±20 50 150 150 ≤0,2 ≤100 2—4 0,005
(IС = 30 А, UЗИ = 15 В)		 ≤0,10 ≤0,83
2П7160Р2
2П7160Р3		 КТ-111А-1.02
КТ-111А-2.02		 30 ±20 20 50 100 ≤0,2 ≤100 2—4 0,008
(IС = 10 А, UЗИ = 10 В)		 ≤0,15 ≤1,25

В зависимости от типономинала возможны три варианта исполнения без металлизации обратной стороны корпуса:

Наличие беcпотенциального основания позволяет исключить необходимость электроизоляционных прокладок при установке на теплоотвод (радиатор). Приборы без крепежного отверстия пригодны для SMD сборки.

Транзисторы обладают повышенной стойкостью к воздействиям спецфакторов.

Условное обозначение транзисторов при заказе и в конструкторской документации другой продукции:

Транзисторы в корпусах типа КТ-111 рекомендуется крепить к теплоотводу механическим способом при помощи прижимов в соответствии с рисунками 1 и 2.

Вариант установки транзисторов при помощи прижимов предпочтителен.

Чертеж крепления мощного радиационностойкого полевого транзистора 2П7160 в металлокерамическом корпусе с фланцем Чертеж крепления мощного радиационностойкого полевого транзистора 2П7160 в металлокерамическом корпусе без фланца

1 — транзистор; 2 — теплоотвод; 3 — винт М2,5; 4 — прижим ПБВК.745441.002 (корпус КТ-111А), ПБВК.745441.002-01 (корпус КТ-111В), ПБВК.745441.002-02 (корпус КТ-111С); 5 — гровер шайба; 6 — шайба; 7 — втулка изолирующая полипропиленовая 3.1, 6 мм 180°; крутящий момент не более 28 Н·см.

Для улучшения теплового контакта рекомендуется наносить на нижнее основание корпуса транзисторов пасту КПТ-8 ГОСТ 19783-74.

Допускается транзисторы крепить к теплоотводу с применением теплопроводящих клеев с учетом их теплопроводности и рассеиваемой мощности стока.