Мощные радиационностойкие полевые транзисторы 2П7160 АЕЯР.432140.374ТУ в металлостеклянных корпусах с приемкой ВП
Мощные кремниевые эпитаксиально-планарные полевые, с изолированным затвором и n-каналом, встроенным диодом в металлстеклянных корпусах с неизолированным фланцем и планарными выводами транзисторы 2П7160 АЕЯР.432140.374ТУ предназначены для работы во вторичных источниках электропитания, импульсных модуляторах в качестве силовых транзисторных ключей и в другом электрооборудовании изделий специального назначения.
Транзисторы изготавливают одного типа восемнадцати типономиналов. Возможны два варианта исполнения: в корпусах с покрытием золотом и в корпусах с покрытием никелем.
Категория качества приборов – «ВП» (приемка «5»).
Наименование изделия |
Тип корпуса |
Предельно допустимые электрические режимы | Электрические параметры и тепловое сопротивление | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
UСИ max, B |
UЗИ max, B |
IС max, А |
IС(И) max, А |
PС мах, Вт |
IС нач, мА |
IЗ ут, нА |
UЗИ пор, B |
RСИ отк, Ом |
QЗИ тип, нКл |
tсп, мкс |
RТ п-к, °С/Bт |
||
2П7160А 2П7160A1 |
КТ-97C Au КТ-97C Ni |
30 | ±20 | 46 | 70 | 125 | ≤0,2 | ≤100 | 2—4 | 0,006 (IС = 20 А, UЗИ = 12 В) |
190 | ≤0,15 | ≤1,00 |
2П7160Б 2П7160Б1 |
КТ-97A Au КТ-97A Ni |
100 | ±20 | 20 | 50 | 75 | ≤0,2 | ≤100 | 2—4 | 0,048 (IС = 15 А, UЗИ = 10 В) |
85 | ≤0,12 | ≤1,67 |
2П7160В 2П7160В1 |
КТ-97B Au КТ-97B Ni |
200 | ±20 | 35 | 70 | 125 | ≤0,2 | ≤100 | 2—4 | 0,080 (IС = 12 А, UЗИ = 10 В) |
140 | ≤0,15 | ≤1,00 |
2П7160Г 2П7160Г1 |
КТ-97C Au КТ-97C Ni |
400 | ±20 | 23 | 46 | 150 | ≤0,2 | ≤100 | 2—4 | 0,200 (IС = 10 А, UЗИ = 10 В) |
165 | ≤0,15 | ≤0,83 |
2П7160Д 2П7160Д1 |
КТ-97C Au КТ-97C Ni |
500 | ±20 | 20 | 46 | 150 | ≤0,2 | ≤100 | 2—4 | 0,230 (IС = 10 А, UЗИ = 10 В) |
165 | ≤0,15 | ≤0,83 |
2П7160Е 2П7160Е1 |
КТ-97B Au КТ-97B Ni |
60 | ±20 | 35 | 70 | 150 | ≤0,2 | ≤100 | 2—4 | 0,008 (IС = 15 А, UЗИ = 10 В) |
300 | ≤0,15 | ≤0,83 |
2П7160Ж 2П7160Ж1 |
КТ-97A Au КТ-97A Ni |
100 | ±20 | 20 | 50 | 100 | ≤0,2 | ≤100 | 2—4 | 0,036 (IС = 15 А, UЗИ = 10 В) |
120 | ≤0,13 | ≤1,25 |
2П7160И 2П7160И1 |
КТ-97C Au КТ-97C Ni |
200 | ±20 | 35 | 70 | 150 | ≤0,2 | ≤100 | 2—4 | 0,055 (IС = 12 А, UЗИ = 10 В) |
270 | ≤0,15 | ≤0,83 |
2П7160К 2П7160К1 |
КТ-97C Au КТ-97C Ni |
600 | ±20 | 20 | 46 | 150 | ≤0,2 | ≤100 | 2—4 | 0,270 (IС = 10 А, UЗИ = 10 В) |
165 | ≤0,15 | ≤0,83 |
Масса транзистора в корпусе КТ-97A — 5 г, КТ-97B — 8,5 г, КТ-97C — 10 г.
Транзисторы обладают повышенной стойкостью к воздействиям спецфакторов.
Условное обозначение транзисторов при заказе и в конструкторской документации другой продукции:
- Транзистор 2П7160А АЕЯР.432140.374ТУ.
- Транзистор 2П7160А1 АЕЯР.432140.374ТУ.
Транзистор рекомендуется прижать к теплоотводу прижимом.
Рекомендуемый крутящий момент не более 28 Н·см для корпуса КТ-97А, не более 36 Н·см для корпуса КТ-97В, не более 48 Н·см для корпуса КТ-97С.
Для улучшения теплового контакта рекомендуется наносить на нижнее основание корпуса транзисторов пасту типа КПТ-8 ГОСТ 19783-74.