Расширение серии IGBT транзисторов 2Е802 АЕЯР.432140.283ТУ

АО «ФЗМТ» с 2005 года серийно выпускает мощные кремниевые эпитаксиально-планарные n-канальные биполярные транзисторы с изолированным затвором 2Е802 АЕЯР.432140.283ТУ. Транзисторы применяются в качестве силовых ключей в аппаратуре специального назначения.

Транзисторы выпускаются двух типов. К первому типу относятся транзисторы структуры PT на напряжение 600 В, ток 23 А. Ко второму типу относятся транзисторы структуры NPT на напряжения 600, 1200 В, ток 45 А. Транзисторы 2Е802 структуры NPT уступают транзисторам структуры PT по временному параметру «Время рассасывания, tрас» (450 нс против 250 нс), что приводит к большим потерям на переключении, уменьшению рабочей частоты преобразователей, тем самым ограничивая область применения транзисторов структуры NPT.

АО «ФЗМТ» совместно с ОАО «Интеграл» проводит работы по разработке IGBT транзисторов 2Е802 структуры РТ на напряжения 600 В, 1200 В, ток 45 А для организации серийного выпуска как кристаллов, так и приборов в корпусном исполнении.

Таблица основных параметров разрабатываемых транзисторов 2Е802 структуры РТ
Наименование
изделия		 Тип
корпуса		 Предельно допустимые электрические режимы Электрические параметры и тепловое сопротивление
UКЭК max,
B		 UЗЭ проб max,
B		 IК max,
А		 IКИ max,
А		 PК мах,
Вт		 IКЭК,
мА		 IЗ. УТ,
нА		 UЗЭ пор,
B		 UКЭ нас,
B		 tрас,
мкс		 tсп,
мкс		 RТ п-к,
°С/Bт
2Е802Д КТ-97С 1200 ±20 45 90 160 ≤0,25 ≤100 3—6 ≤3,0 ≤0,25 ≤0,15 ≤0,78
2Е802Д3 КТ-111С-2.02 1200 ±20 45 90 160 ≤0,25 ≤100 3—6 ≤3,0 ≤0,25 ≤0,15 ≤0,78
2Е802Е КТ-97С 600 ±20 45 90 160 ≤0,25 ≤100 3—6 ≤2,7 ≤0,25 ≤0,15 ≤0,78
2Е802Е3 КТ-111С-2.02 600 ±20 45 90 160 ≤0,25 ≤100 3—6 ≤2,7 ≤0,25 ≤0,15 ≤0,78

В типовой структуре кристаллов транзисторов 2Е802 отсутствует обратный диод (body diode). В связи с этим, при работе на индуктивную нагрузку потребители вынуждены применять ультрабыстрые обратные диоды (fast diode) в отдельном корпусе, что снижает надежность аппаратуры и увеличивает конечную цену.

АО «ФЗМТ» ведет разработку транзисторов 2Е802 с ультрабыстрыми обратными диодами в одном корпусе. Их серийный выпуск позволит обеспечить предприятия отрасли необходимой ЭКБ с целью замены импортной комплектации.

Транзисторы 2Е802 с ультрабыстрыми обратными диодами в одном корпусе планируется выпускать в металлостеклянных корпусах и в металлокерамических корпусах с изолированным фланцем.

Таблица основных параметров разрабатываемых транзисторов 2Е802 с обратными диодами
Наименование
изделия		 Тип
корпуса		 Предельно допустимые электрические режимы Электрические параметры и тепловое сопротивление
UКЭК max,
B		 UЗЭ проб max,
B		 IК max,
А		 IКИ max,
А		 PК мах,
Вт		 IКЭК,
мА		 IЗ. УТ,
нА		 UЗЭ пор,
B		 UКЭ нас,
B		 tрас,
мкс		 tсп,
мкс		 RТ п-к,
°С/Bт
2Е802А1Д КТ-97В 600 ±20 23 46 100 ≤0,25 ≤100 3—6 ≤2,7 ≤0,25 ≤0,15 ≤1,25
2Е802А3Д КТ-111В-2.02 600 ±20 23 46 100 ≤0,25 ≤100 3—6 ≤2,7 ≤0,25 ≤0,15 ≤1,25
2Е802ВД КТ-97С 1200 ±25 45 90 160 ≤0,25 ≤100 3—6 ≤3,0 ≤0,45 ≤0,15 ≤0,78
2Е802В3Д КТ-111С-5 1200 ±25 45 90 160 ≤0,25 ≤100 3—6 ≤3,0 ≤0,45 ≤0,15 ≤0,78
2Е802ГД КТ-97С 600 ±25 45 90 160 ≤0,25 ≤100 3—6 ≤2,7 ≤0,45 ≤0,15 ≤0,78
2Е802Г3Д КТ-111С-5 600 ±25 45 90 160 ≤0,25 ≤100 3—6 ≤2,7 ≤0,45 ≤0,15 ≤0,78
2Е802ДД КТ-97С 1200 ±20 45 90 160 ≤0,25 ≤100 3—6 ≤3,0 ≤0,25 ≤0,15 ≤0,78
2Е802Д3Д КТ-111С-5 1200 ±20 45 90 160 ≤0,25 ≤100 3—6 ≤3,0 ≤0,25 ≤0,15 ≤0,78
2Е802ЕД КТ-97С 600 ±20 45 90 160 ≤0,25 ≤100 3—6 ≤2,7 ≤0,25 ≤0,15 ≤0,78
2Е802Е3Д КТ-111С-2.02 600 ±20 45 90 160 ≤0,25 ≤100 3—6 ≤2,7 ≤0,25 ≤0,15 ≤0,78

Ждем от потенциальных потребителей заявки на поставки опытных образцов транзисторов 2Е802 с приемкой ОТК для опробования и принятия решения о дальнейшем применении.