Транзисторы 2Т935Б2 в корпусах типа КТ-111В-2.02

В настоящее время АО «ФЗМТ» серийно выпускает транзисторы 2Т935Б аА0.339.006ТУ в металлостеклянном корпусе типа КТ-97В с потенциальным основанием.

С целью расширения номенклатуры и области применения транзисторов 2Т935Б АО «ФЗМТ» проводит работы по разработке транзисторов в беспотенциальных металлокерамических корпусах типа КТ-111В-2.02.

Преимуществом предлагаемого конструктивного исполнения является снижение трудоемкости изготовления и повышения надежности транзисторов за счет исключения промежуточной изолированной контактной площадки для выполнения УЗ сварки выводов базы и эмиттера с кристалла на траверсы.

Кроме того, беспотенциальные корпуса типа КТ-111В-2.02 позволяют устанавливать транзисторы на теплоотвод без применения изолирующих прокладок. Это приводит к снижению теплового сопротивления кристалл-теплоотвод и, как следствие, к снижению температуры кристалла и повышению надежности.

Конструктивные различия транзисторов 2Т935Б и 2Т935Б2 приведены на рисунке.